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Il wafer riduttore libero LiNbO3 128Y di Pyroelectric ha tagliato il grado della SEGA
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | BonTek |
| Certificazione: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numero di modello: | Niobato di litio (LiNbO3) |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5 pc |
|---|---|
| Prezzo: | Negoziabile |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto del barattolo della cassetta, chiuso sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Wafer nero LiNbO3 | Riduzione: | Niobato di litio riduttore |
|---|---|---|---|
| Carattere: | Pyroelectric libero | Resistività: | 0.9E+11 ~ 9.0E+11 (Standard Black); 0,9E+11 ~ 9,0E+11 (nero standard); 1.0E+10 ~ 9. |
| Diametro: | 10×10mm, 20×20mm, 50×50mm, 3", 4" | Uso: | Componenti di Wave acustico di superficie |
| Finitura superficia: | DSP & SSP | Rugosità: | RMS<0.5nm, RMS<1nm |
| Evidenziare: | Substrato libero LiNbO3 di Pyroelectric,Wafer riduttore del niobato di litio,Substrato del niobato di litio del grado della SEGA |
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Descrizione di prodotto
Il wafer nero libero LiNbO3 128Y-Cut di Pyroelectric HA VISTO il grado
La tecnica di riduzione è usata per produrre il niobato di litio nero (LiNbO3). Il wafer nero LiNbO3 ha un'alta capacità di neutralizzare le spese anche se il potenziale elettrico accade istantaneamente. L'effetto pyroelectric del wafer di LN quasi si elimina e la trasmissione è ridotta significativamente. Le proprietà piezoelettriche dei wafer neri del niobato di litio sono non differenti da quelle dei wafer standard. Di conseguenza, i wafer riduttori neri del niobato di litio sono ampiamente usati produrre gli più alti dispositivi di onda acustica di superficie di frequenza.
BonTek è fiero annunciare che possiamo offrire 3", 4" e 6" wafer neri di LN per tutti gli angoli di taglio.
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Materiale |
3" 4" 6" 8" sega del wafer di LN/grado ottico |
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Orientamento |
° /YZ/YX di /Y128 del ° di X/Z/Y41° /Y64 o su misura |
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Impiegati di curie |
°C 1142 del ±3del°C |
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Riduzione |
0.9E+11 nero- 1.0E+10 nero- eccellente ~ 9.0E+10 |
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Finitura superficia |
lucidatura singola o doppia dei lati (DLP/SLP/SSP/DSP tutto il disponibile) |
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Spessore |
0.18/0.25/0.35/0.50/1.00 + millimetro |
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TTV |
< 1=""> |
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ARCO |
± (25µm ~40um) |
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Filo di ordito |
<> |
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LTV (5mmx5mm) |
<1> |
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PLTV (<0> |
≥98%(5mm*5mm)conilbordodi2mmescluso |
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Bordo |
Compl't con i SEMI M1.2@with GC800# .regular alla C ha scritto |
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Appartamenti di orientamento |
disponibile, per richiesta |
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Ra laterale lucidato |
Ra di rugosità<> |
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Criteri laterali posteriori |
Ra di rugosità: 0.5-1.0µm GC#1000 |
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Arrotondamento del bordo |
Soddisfacente rispetto alla norma dei SEMI M1.2/riferisca a IEC62276 |
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Crepe, segni della sega, macchie |
Nessuno |
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Punto di fusione |
1253° C |
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Crystal System |
Trigonal |
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Gruppo del punto |
3m |
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Crystal Density |
³ di kg/m di 4,647 x 10 ³ |
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Temperatura di curie (TC) |
1150°C |
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La capacità termica (Cp) |
89 J/k.mol |
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Costanti dielettriche |
T11=85.2 |
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T33=28.7 |
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Costanti elastiche |
CE 11=2.03 x 1011 N/m2 |
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CE 12=0.573 |
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CE 13=0.752 |
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CE 14=0.085 |
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CE 33=2.424 |
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CE 44=0.595 |
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Sforzo piezoelettrico Costanti |
e15=3.7 C/m2 |
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e22=2.5 |
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e31=0.23 |
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e33=1.33 |
Controllo di accettazione
- Il prodotto è fragile. Lo abbiamo imballato adeguatamente e lo abbiamo identificato fragile. Consegniamo attraverso le società precise nazionali ed internazionali eccellenti per assicurare la qualità del trasporto.
- Dopo la ricezione delle merci, tratti prego con attenzione e controllare se il cartone esterno è in buone condizioni. Apra con attenzione il cartone esterno e controlli se le scatole di imballaggio sono allineate. Prenda un'immagine prima che le eliminiate.
- Apra prego l'imballaggio sotto vuoto in una stanza pulita quando i prodotti devono applicarsi.
- Se i prodotti sono trovati nocivi durante il corriere, prenda prego un'immagine o registri un video immediatamente. Non prenda i prodotti nocivi dalla scatola d'imballaggio! Contattici immediatamente e risolveremo bene il problema.