• Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows
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Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows

Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows

Dettagli:

Luogo di origine: La CINA
Marca: BonTek
Certificazione: ISO:9001
Numero di modello: Zaffiro (Al2O3)

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5 pezzi
Prezzo: Negoziabile
Imballaggi particolari: Cassetta, barattolo, pacchetto del film
Tempi di consegna: 1-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Sapphire Wafer orientamento: C-asse [0001], R-asse [1-102], Un-asse [11-20], M.-asse [10-10]
gamma di trasmissione: 0,17 - 5,5 micron Indice di rifrazione: 1,75449 (o) 1,74663 (e) a 1,06 micron
Perdita di riflessione: a 1,06 micron (2 superfici) per i raggi O - 11,7%; per i raggi E - 14,2% Indice di assorbimento: 0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 micron
Capacità termica specifica: 419 J (chilogrammo x K) Costante dielettrica: 11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz
Evidenziare:

Sapphire Wafer su misura

,

Wafer infrarosso di portata al2o3 di notte

,

Macchina fotografica Sapphire Wafer di visione notturna

Descrizione di prodotto

Wafer di zaffiro personalizzato utilizzato come telecamera di visione notturna a raggi infrarossi

 

I wafer di zaffiro sono l'incarnazione della moderna tecnologia dei semiconduttori, combinando eccezionale durezza e stabilità chimica con proprietà ottiche superiori.La loro combinazione unica di caratteristiche le rende ideali per una vasta gamma di applicazioni elettroniche, dai LED e dalle celle solari all'elettronica ad alta potenza.

Con la loro eccezionale conduttività termica, le wafer di zaffiro assicurano una dissipazione del calore efficiente, essenziale per mantenere le prestazioni di dispositivi ad alta potenza.la loro elevata trasparenza nello spettro visibile e UV consente la massima estrazione della luce nei dispositivi optoelettronici, portando ad una maggiore efficienza e luminosità.

Il futuro dell'elettronica è qui, ed è fatto di zaffiro.

Orientazioni disponibili:

Asse C [0001], asse R [1-102], asse A [11-20], asse M [10-10], casuale

Finestre / spazi bianchi in zaffiro

 

Diametro / larghezza:

25.0 - 250,0 mm

Tolleranza:

Standard ± 2°, speciale a ± 0,1°

Spessore:

Al minimo 0.15, massimo 120,0 mm

Finitura superficiale:

Come tagliato, finemente macinato, lamellato, lucidato s/d 80/50, 60/40, 40/20, 20/10, 10/5, secondo il MIL-0-13830A

Qualità delle estremità / bordi:

Terreno buono, 80/50.

tubi di zaffiro "come cresciuti":

 

Dimensioni

Diametro interno fino a 50 mm, spessore della parete 0,5 - 4,0 mm, lunghezza dei tubi 300-600 mm

Orientazione

L'asse C lungo il tubo

tubi di zaffiro lucidati:

Fino a 50 mm di diametro interno, spessore della parete 0,5 - 3,0 mm, lunghezza dei tubi 80-350 mm

di larghezza uguale o superiore a 50 mm

Diametro/Larghezza 5-220 mm, Spessore/Lenghe 25 ∼ 125 mm

Qualità delle superfici

Come tagliato, fine/bordi di qualità taglio diamante


Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows 0Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows 1Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows 2

 

Proprietà ottiche del zaffiro Al2O3

Distanza di trasmissione

0.17 a 5,5 micron

Indice di rifrazione

1.75449 (o) 1.74663 (e) a 1,06 micron

Perdita del riflesso

a 1,06 micron (2 superfici) per i raggi O - 11,7%; per i raggi E - 14,2%

Indice di assorbimento

0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 micron

DN/dT

13.7 x 10-6 a 5,4 micron

dn/dm = 0

1.5 micron

 

Proprietà fisiche di SAFIRO AL2O3

Densità

30,97 g/cm3

Punto di fusione

2040 gradi C

Conduttività termica

27.21 W/ ((m x K) a 300 K

Espansione termica

5.6 x 10-6/K (asse C parallelo) e 5,0 (asse C perpendicolare) x 10-6/K

Durezza

Knoop 2000 kg/mm2con indentatore da 2000 g

Capacità termica specifica

419 J/ ((kg x K)

Costante dielettrica

11.5 (asse C parallelo) 9.4 (asse C perpendicolare) a 1 MHz

Modulo di Young (E)

335 GPa

Modulo di taglio (G)

148.1 GPa

Modulo di massa (K)

240 GPa

Coefficienti di elasticità

C11= 496 C12=164 C13=115
C33= 498 C44=148

Limite apparente di elasticità

275 MPa (40.000 psi)

Rapporto di pesce

0.25


Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows 3

 

Controllo di accettazione

Portata infrarossa su misura di notte di Sapphire Wafer Used As Infrared Windows 4

 

1Il prodotto è fragile. Lo abbiamo confezionato adeguatamente e etichettato fragile. Lo consegniamo attraverso eccellenti compagnie espresse nazionali e internazionali per garantire la qualità del trasporto.

 

2. Dopo aver ricevuto la merce, si prega di maneggiare con attenzione e verificare se la scatola esterna è in buone condizioni.Fate una foto prima di portarli fuori..

 

3Apri la confezione sotto vuoto in una stanza pulita quando i prodotti devono essere applicati.

 

4. Se i prodotti vengono trovati danneggiati durante il trasporto, si prega di scattare una foto o registrare un video immediatamente.Contattaci immediatamente e risolveremo il problema bene.

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