1" a 8" dispositivi ad alta temperatura di Sapphire Wafer For High-Frequency High-Power
Dettagli:
Luogo di origine: | La CINA |
Marca: | BonTek |
Certificazione: | ISO:9001 |
Numero di modello: | Zaffiro (Al2O3) |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 5 pezzi |
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Prezzo: | Negoziabile |
Imballaggi particolari: | Cassetta, barattolo, pacchetto del film |
Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
Termini di pagamento: | T/T |
Capacità di alimentazione: | 10000 pezzi/mese |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | Sapphire Wafer | Orientamento: | C-asse [0001], R-asse [1-102], Un-asse [11-20], M.-asse [10-10] |
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Diametro: | Φ1inch a 8inch | Indice di rifrazione: | 1,75449 (o) 1,74663 (e) a 1,06 micron |
Perdita di riflessione: | a 1,06 micron (2 superfici) per o-Ray - 11,7%; per e-Ray - 14,2% | Indicizzi di assorbimento: | 0,3 x 10-3 cm-1 a 2,4 micron |
Capacità termica specifica: | 419 J (chilogrammo x K) | Costante dielettrica: | 11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz |
Evidenziare: | 8" Sapphire Wafer,Wafer a 8 pollici Al2O3,1" Sapphire Wafer |
Descrizione di prodotto
Φ1» a 8" Sapphire Wafer per i dispositivi ad alta temperatura ad alta potenza ad alta frequenza
Confrontando ad altri wafer, il wafer dello zaffiro ha molte caratteristiche uniche quali la conducibilità termica ad alta resistenza, anticorrosiva, antiabrasione, buona ed il buon isolamento elettrico. dovuto le sue caratteristiche meccaniche e chimiche eccellenti, il wafer dello zaffiro svolge un ruolo importante nell'industria dell'optoelettronica e l'ampiamente usato in parti di precisione ed attrezzature meccaniche di vuoto.
Applicazioni di Sapphire Wafer
- Dispositivo ad alta frequenza
- Dispositivo di alto potere
- Dispositivo di epitassia di GaN
- Dispositivo ad alta temperatura
- Dispositivo optoelettronico
- Diodo a emissione luminosa
Crescita |
Kyroplous |
Diametro |
/Ø 5"/Ø/Ø/Ø DI Ø 1" 2" 3" 4" |
Dimensione |
10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 millimetri |
Spessore |
0,43 millimetri/0,5 millimetri/1 millimetro |
Superficie |
un epi del lato/due lati lucidato |
Rugosità |
≤ 5 A del Ra |
Pacchetto |
Singolo contenitore del wafer o cassetta di Ampak |
Formula chimica |
Al2O3 |
Sistema cristallino |
Esagonale |
Ingraticci costante |
4,77 A |
Durezza |
9 |
Conducibilità termica |
46 con il Mk |
Costante dielettrica |
11,58 |
Indice di rifrazione |
1,768 |
Controllo di accettazione
1. Il prodotto è fragile. Lo abbiamo imballato adeguatamente e lo abbiamo identificato fragile. Consegniamo attraverso le società precise nazionali ed internazionali eccellenti per assicurare la qualità del trasporto.
2. Dopo la ricezione delle merci, tratti prego con attenzione e controllare se il cartone esterno è in buone condizioni. Apra con attenzione il cartone esterno e controlli se le scatole di imballaggio sono allineate. Prenda un'immagine prima che le eliminiate.
3. Apra prego l'imballaggio sotto vuoto in una stanza pulita quando i prodotti devono applicarsi.
4. Se i prodotti sono trovati nocivi durante il corriere, prenda prego un'immagine o registri un video immediatamente. Non prenda i prodotti nocivi dalla scatola d'imballaggio! Contattici immediatamente e risolveremo bene il problema.