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Scratch di Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | BonTek |
| Certificazione: | ISO:9001 |
| Numero di modello: | Zaffiro (Al2O3) |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5 pezzi |
|---|---|
| Prezzo: | negotiable |
| Imballaggi particolari: | Cassetta, barattolo, pacchetto del film |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 10000 pezzi/mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Sapphire Windows | Crescita: | Metodo di Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Punto di fusione: | °C 2040 | Conducibilità termica: | 27,21 con (m. x K) a 300 K |
| Espansione termica: | 5,6 x 10 -6 /K (C-asse parallelo) & 5,0 (C-asse perpendicolare) x 10 -6 /K | Durezza: | Knoop 2000 kg/mm 2 con il penetratore 2000g |
| Capacità termica specifica: | 419 J (chilogrammo x K) | Costante dielettrica: | 11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz |
| Evidenziare: | Wafer piezoelettrico a semiconduttore,Sapphire Windows Piezoelectric Wafer,Graffio della Sapphire Wafer resistente |
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Descrizione di prodotto
Wafer di Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric a semiconduttore
Lo zaffiro è un materiale di una combinazione unica di proprietà fisiche, chimiche ed ottiche, che lo rendono resistente ad erosione di temperatura elevata, dello shock termico, dell'acqua e della sabbia e di graffio. È un materiale superiore della finestra per molte applicazioni di IR da 3µm a 5µm. i substrati dello zaffiro dell'C-aereo sono ampiamente usati coltivare i composti di II-VI e di III-V quale GaN per il LED ed i diodi laser blu, mentre i substrati dello zaffiro dell'R-aereo sono usati per il deposito etero-epitassiale di silicio per le applicazioni microelettroniche di IC.
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Oggetto |
C-aereo a 3 pollici (0001) 500μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino |
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Grado |
Principale, Epi-pronto |
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Orientamento di superficie |
C-aereo (0001) |
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fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1° |
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Diametro |
76,2 millimetro +/- 0,1 millimetri |
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Spessore |
μm 500 +/- μm 25 |
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Orientamento piano primario |
Un-aereo (11-20) +/- 0.2° |
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Lunghezza piana primaria |
22,0 millimetro +/- 1,0 millimetri |
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Singolo laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superficie posteriore |
Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2 |
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Doppio laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superficie posteriore |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 15=""> |
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ARCO |
< 15=""> |
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FILO DI ORDITO |
< 15=""> |
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Pulizia/che imballa |
Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto, |
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25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo. |
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Oggetto |
C-aereo a 4 pollici (0001) 650μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino |
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Grado |
Principale, Epi-pronto |
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Orientamento di superficie |
C-aereo (0001) |
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fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1° |
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Diametro |
100,0 millimetro +/- 0,1 millimetri |
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Spessore |
μm 650 +/- μm 25 |
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Orientamento piano primario |
Un-aereo (11-20) +/- 0.2° |
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Lunghezza piana primaria |
30,0 millimetro +/- 1,0 millimetri |
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Singolo laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superficie posteriore |
Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2 |
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Doppio laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superficie posteriore |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 20=""> |
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ARCO |
< 20=""> |
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FILO DI ORDITO |
< 20=""> |
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Pulizia/che imballa |
Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto, |
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25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo. |
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Oggetto |
C-aereo a 6 pollici (0001) 1300μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino |
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Grado |
Principale, Epi-pronto |
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Orientamento di superficie |
C-aereo (0001) |
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fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1° |
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Diametro |
150,0 millimetro +/- 0,2 millimetri |
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Spessore |
μm 1300 +/- μm 25 |
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Orientamento piano primario |
Un-aereo (11-20) +/- 0.2° |
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Lunghezza piana primaria |
47,0 millimetro +/- 1,0 millimetri |
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Singolo laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superficie posteriore |
Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2 |
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Doppio laterale lucidato |
Front Surface |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
|
(DSP) |
Superficie posteriore |
Epi-lucidato, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 25=""> |
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ARCO |
< 25=""> |
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FILO DI ORDITO |
< 25=""> |
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Pulizia/che imballa |
Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto, |
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|
25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo. |
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Controllo di accettazione