• Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer
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Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer

Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: BonTek
Certificazione: ISO:9001
Numero di modello: Zaffiro (Al2O3)

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5 pezzi
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Cassetta, barattolo, pacchetto del film
Tempi di consegna: 1-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Sapphire Wafer Metodo di crescita: Metodo di Kyropoulos
Punto di fusione: °C 2040 Conducibilità termica: 27,21 con (m. x K) a 300 K
CTE: 5,6 x 10 -6 /K (C-asse parallelo) & 5,0 (C-asse perpendicolare) x 10 -6 /K Durezza: Knoop 2000 kg/mm 2 con il penetratore 2000g
Capacità termica specifica: 419 J (chilogrammo x K) Const dielettrico.: 11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz
Evidenziare:

Sapphire Polished Wafer 3 Inch

,

High Resistance Sapphire Polished Wafer

,

C Plane Optical Crystal Sapphire Wafer

Descrizione di prodotto

Cristallo ottico dell'alto di resistenza C-aereo a 3 pollici di Sapphire Polished Wafer

 

Lo zaffiro è un monocristallo di allumina ed è il materiale secondo più duro in natura, dopo il diamante. Lo zaffiro ha buona trasmissione leggera, ad alta resistenza, la resistenza di collisione, la resistenza all'usura, resistenza della corrosione e la resistenza ad alta pressione e di temperatura elevato, biocompatibilità, è un materiale ideale del substrato per la produzione dei dispositivi optoelettronici a semiconduttore, le proprietà elettriche di zaffiro farla trasformarsi nel materiale del substrato per la produzione del LED bianco e blu.

 

Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer 0Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer 1Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer 2

 

Oggetto

C-aereo a 3 pollici (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino

Grado

Principale, Epi-pronto

Orientamento di superficie

C-aereo (0001)

fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1°

Diametro

76,2 millimetro +/- 0,1 millimetri

Spessore

μm 500 +/- μm 25

Orientamento piano primario

Un-aereo (11-20) +/- 0.2°

Lunghezza piana primaria

22,0 millimetro +/- 1,0 millimetri

Singolo laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie posteriore

Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2

Doppio laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie posteriore

Epi-lucidato, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

ARCO

< 15="">

FILO DI ORDITO

< 15="">

Pulizia/che imballa

Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto,

25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo.

 

Oggetto

C-aereo a 4 pollici (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino

Grado

Principale, Epi-pronto

Orientamento di superficie

C-aereo (0001)

fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1°

Diametro

100,0 millimetro +/- 0,1 millimetri

Spessore

μm 650 +/- μm 25

Orientamento piano primario

Un-aereo (11-20) +/- 0.2°

Lunghezza piana primaria

30,0 millimetro +/- 1,0 millimetri

Singolo laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie posteriore

Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2

Doppio laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie posteriore

Epi-lucidato, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

ARCO

< 20="">

FILO DI ORDITO

< 20="">

Pulizia/che imballa

Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto,

25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo.

 

Oggetto

C-aereo a 6 pollici (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, elevata purezza, Al2O3 monocristallino

Grado

Principale, Epi-pronto

Orientamento di superficie

C-aereo (0001)

fuori angolo dell'C-aereo verso l'M.-asse 0,2 +/- 0.1°

Diametro

150,0 millimetro +/- 0,2 millimetri

Spessore

μm 1300 +/- μm 25

Orientamento piano primario

Un-aereo (11-20) +/- 0.2°

Lunghezza piana primaria

47,0 millimetro +/- 1,0 millimetri

Singolo laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie posteriore

Terra fine, Ra = 0,8 μm a μm 1,2

Doppio laterale lucidato

Front Surface

Epi-lucidato, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie posteriore

Epi-lucidato, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

ARCO

< 25="">

FILO DI ORDITO

< 25="">

Pulizia/che imballa

Locale senza polvere della classe 100 che pulisce e che imballa sotto vuoto,

25 pezzi in una cassetta che imballa o imballaggio del pezzo singolo.

 

Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer 3

 

Controllo di accettazione

Cristallo ottico di resistenza dell'C-aereo a 3 pollici alto di Sapphire Polished Wafer 4

 

1. Il prodotto è fragile. Lo abbiamo imballato adeguatamente e lo abbiamo identificato fragile. Consegniamo attraverso le società precise nazionali ed internazionali eccellenti per assicurare la qualità del trasporto.

 

2. Dopo la ricezione delle merci, tratti prego con attenzione e controllare se il cartone esterno è in buone condizioni. Apra con attenzione il cartone esterno e controlli se le scatole di imballaggio sono allineate. Prenda un'immagine prima che le eliminiate.

 

3. Apra prego l'imballaggio sotto vuoto in una stanza pulita quando i prodotti devono applicarsi.

 

4. Se i prodotti sono trovati nocivi durante il corriere, prenda prego un'immagine o registri un video immediatamente. Non prenda i prodotti nocivi dalla scatola d'imballaggio! Contattici immediatamente e risolveremo bene il problema.

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
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