• Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm
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Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm

Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: BonTek
Certificazione: ISO:9001, ISO:14001
Numero di modello: Cristallo SrTiO3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 10 pc
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Confezione cassetta/barattolo, sigillata sottovuoto
Tempi di consegna: 1-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 50000 pc/mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Monocristallo SrTiO3 Orientamento: <100>、<110> ±0.5o<111> del、
Sistema cristallino: Sistema cubico (a=3.905Å) Densità: 5.175g/cm3
Superficie: Singolo lato lucidato CTE: 10,4 ppm/℃
Metodo di crescita: metodo della fiamma Costante dielettrica: 9,8
Evidenziare:

Wafer di cristallo SrTiO3 a semiconduttore

,

wafer piezoelettrico SrTiO3 drogato Fe

,

wafer di cristallo SrTiO3 quadrato da 10 mm

Descrizione di prodotto

Wafer di cristallo SrTiO3 drogato Fe quadrato da 10 mm per semiconduttore

 

Il titanato di stronzio drogato con Fe (SrTiO3) e il singolo cristallo di titanato di stronzio hanno una struttura simile.Il singolo cristallo di titanato di stronzio è ben abbinato a una varietà di materiali a struttura minerale di perovskite, che è un materiale di substrato di alta qualità per film sottili superconduttori ad alta temperatura e una varietà di film sottili di ossido, e anche ampiamente utilizzato in finestre ottiche speciali e sputtering di alta qualità bersagli.Al momento, BonTek è in grado di fornire un substrato a cristallo singolo Fe:SrTiO3 con una concentrazione drogata con ferro dello 0,04% e dello 0,05%.

 

Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm 0Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm 1Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm 2

 

 

SrTiO3Cristallo
Struttura di cristallo Sistema cubico (a=3.905Å)
Densità 5,122 gr/cm3
Drogante Intrinseco, drogato con Fe, drogato con neodimio (Nd), drogato con niobio
Durezza 6~6.5 (Mohs)
Coefficiente di espansione termica 10,4×10-6/k
Costante dielettrica 5.2
Orientamento <100>,<110>,<111>±0,5o,come richiesto
Dimensione 10×3mm, 10×5mm, 10×10mm, 15×15mm, 20×15mm
Spessore 0,5 ± 0,015 mm, 1 ± 0,015 mm
Finitura superficiale Smalto lato singolo, smalto lato doppio
Ruvidezza della superficie ≤5Å
Pacchetto Sacchetto pulito di classe 100, pacchetto barattolo, pacchetto pellicola
 

 

 

Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm 3

 

Wafer di cristallo drogato Fe quadrato SrTiO3 per semiconduttore 10mm 4

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