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Wafer a 4 pollici di LNOI che raggiunge integrazione fotonica compatta
Dettagli:
| Luogo di origine: | La CINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificazione: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numero di modello: | Wafer di LNOI |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 25 PZ |
|---|---|
| Prezzo: | $2000/pc |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto del barattolo della cassetta, chiuso sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 50000 PCS/Month |
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Informazioni dettagliate |
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| Prodotto: | LiNbO3 sull'isolante | Diametro: | A 4 pollici, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Strato superiore: | Niobato di litio | Spessore superiore: | 300~600nm |
| Insolazione: | Ossido termico SiO2 | Spessore di insolazione: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrato: | silicio | Applicazione: | Guide d'onda ottiche e Microwaveguides |
| Evidenziare: | Wafer piezoelettrico di LNOI,Wafer a 4 pollici di LNOI,300nm LiNbO3 sull'isolante |
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Descrizione di prodotto
Raggiungimento dell'integrazione fotonica compatta con i wafer a 4 pollici di LNOI
LNOI corrisponde a niobato di litio sull'isolante, che è una tecnologia specializzata del substrato utilizzata nel campo della fotonica integrata. I substrati di LNOI sono fabbricati trasferendo uno strato sottile del cristallo su un substrato d'isolamento, tipicamente il diossido di silicio (SiO2) o il nitruro di silicio (Si3N4) del niobato di litio (LiNbO3). Questa tecnologia offre i vantaggi unici per lo sviluppo dei dispositivi fotonici compatti ed ad alto rendimento.
La lavorazione dei substrati di LNOI comprende legare uno strato sottile di LiNbO3 su uno strato isolante facendo uso delle tecniche come legame o il ione-taglio del wafer. Ciò provoca una struttura in cui LiNbO3 è sospeso su un substrato non conduttivo, fornente l'isolamento elettrico e riducente le perdite ottiche della guida d'onda.
Applicazioni di LNOI:
- Fotonica integrata
- Comunicazioni ottiche
- Percezione e metrologia
- Ottica di Quantum
| Wafer di LNOI | |||
| Struttura | LN/SiO2/si | LTV/PLTV | < 1="">)/95%di millimetro2 del ∗ 5 |
| Diametro | ± Φ100 0,2 millimetri | Bordo Exclution | 5 millimetri |
| Spessore | 500 μm del ± 20 | Arco | All'interno di μm 50 |
| Lunghezza piana primaria | ± 47,5 2 millimetri ± 57,5 2 millimetri |
Guarnizione del bordo | ± 2 0,5 millimetri |
| Smussatura del wafer | R del tipo | Ambientale | Rohs 2,0 |
| Strato superiore di LN | |||
| Spessore medio | 400/600±10 nanometro | Uniformità | < 40nm=""> |
| Indice di rifrazione | nessun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientamento | ± 0.3° dell'ascissa |
| Grado | Ottico | Ra di superficie | < 0=""> |
| Difetti | >1mm nessuno; ≦1millimetroall'internodi300totali |
Delaminazione | Nessuno |
| Graffio | >1cm nessuno; ≦1cmall'internodi3 |
Piano primario | Perpendicolare al ± 1° di asse di +Y |
| Isolamento SiO2 strati | |||
| Spessore medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformità | <> |
| Favoloso. Metodo | Ossido termico | Indice di rifrazione | 1.45-1.47 @ 633 nanometro |
| Substrato | |||
| Materiale | Si | Orientamento | <100> ± 1° |
| Orientamento piano primario | <110> ± 1° | Resistività | > kΩ 10·cm |
| Contaminazione della parte | Nessuna macchia visibile | Parte | Incissione all'acquaforte |
