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Wafer piezoelettrico larghezza di banda di ampia e di modulazione ad alta velocità con LNOI probabilità di intercettazione
Dettagli:
| Luogo di origine: | La CINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificazione: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numero di modello: | Wafer di LNOI |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 25 PZ |
|---|---|
| Prezzo: | $2000/pc |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto del barattolo della cassetta, chiuso sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 pc/mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Prodotto: | Piezo-elettrico su isolamento | Diametro: | A 4 pollici, a 6 pollici |
|---|---|---|---|
| Strato superiore: | Niobato di litio | Spessore superiore: | 300~600nm |
| Insolazione: | Ossido termico SiO2 | Spessore di insolazione: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrato: | silicio | Applicazione: | Guide d'onda ottiche e Microwaveguides |
| Evidenziare: | Wafer piezoelettrico di modulazione ad alta velocità,Wafer piezoelettrico di ampia larghezza di banda,Wafer piezoelettrico di LNOI probabilità di intercettazione |
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Descrizione di prodotto
Permettere alla modulazione ad alta velocità ed all'ampia larghezza di banda con LNOI probabilità di intercettazione
Piezo-elettrico su isolamento (probabilità di intercettazione) si riferisce ad una tecnologia dove i materiali piezoelettrici sono integrati su un substrato d'isolamento. Ciò tiene conto l'utilizzazione dell'effetto piezoelettrico mentre fornisce l'isolamento elettrico. La tecnologia di probabilità di intercettazione permette allo sviluppo di vari dispositivi ed i sistemi che sfruttano le proprietà uniche dei materiali piezoelettrici per la percezione, l'attuazione e l'energia che raccoglie le applicazioni.
La tecnologia di probabilità di intercettazione (piezo-elettrica su isolamento) trova le varie applicazioni nei campi differenti dovuto la sua capacità di combinare i vantaggi dei materiali piezoelettrici con isolamento elettrico. Quali i sensori, sistemi e immagazzinamento dell'energia Microelectromechanical e generazione.
La versatilità di integrazione dei materiali piezoelettrici su un substrato d'isolamento per aprire le possibilità per le soluzioni innovarici nei diversi campi, compreso elettronica, energia, sanità e più.
| Wafer di LNOI | |||
| Struttura | LN/SiO2/si | LTV/PLTV | < 1="">)/95%di millimetro2 del ∗ 5 |
| Diametro | ± Φ100 0,2 millimetri | Bordo Exclution | 5 millimetri |
| Spessore | 500 μm del ± 20 | Arco | All'interno di μm 50 |
| Lunghezza piana primaria | ± 47,5 2 millimetri ± 57,5 2 millimetri |
Guarnizione del bordo | ± 2 0,5 millimetri |
| Smussatura del wafer | R del tipo | Ambientale | Rohs 2,0 |
| Strato superiore di LN | |||
| Spessore medio | 400/600±10 nanometro | Uniformità | < 40nm=""> |
| Indice di rifrazione | nessun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientamento | ± 0.3° dell'ascissa |
| Grado | Ottico | Ra di superficie | < 0=""> |
| Difetti | >1mm nessuno; ≦1millimetroall'internodi300totali |
Delaminazione | Nessuno |
| Graffio | >1cm nessuno; ≦1cmall'internodi3 |
Piano primario | Perpendicolare al ± 1° di asse di +Y |
| Isolamento SiO2 strati | |||
| Spessore medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformità | <> |
| Favoloso. Metodo | Ossido termico | Indice di rifrazione | 1.45-1.47 @ 633 nanometro |
| Substrato | |||
| Materiale | Si | Orientamento | <100> ± 1° |
| Orientamento piano primario | <110> ± 1° | Resistività | > kΩ 10·cm |
| Contaminazione della parte | Nessuna macchia visibile | Parte | Incissione all'acquaforte |
