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4 pollici di zaffiro Ure La pietra preziosa che alimenta l' avanguardia del zaffiro Wafer
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | CSIMC |
| Certificazione: | ISO:9001 |
| Numero di modello: | Zaffiro (Al2O3) |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5 pezzi |
|---|---|
| Prezzo: | Negoziabile |
| Imballaggi particolari: | Cassetta, barattolo, pacchetto del film |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 10000 pezzi/mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Cristallo di zaffiro (Al2O3) | Tipo: | Monocristallo |
|---|---|---|---|
| Purezza: | 99,999% | Metodo di crescita: | Cristallizzazione orizzontalmente diretta (HDC) |
| Superficie: | DSP / SSP | Modulo di Young (E): | 335 GPa |
| Applicazione: | Wafer di Semicondutor, chip principale, finestra di vetro ottica, ceramica elettronica | Industria: | Vetro principale e ottico, wafer eli-pronto |
| Evidenziare: | La Wafer di Sapphire e Gemstone,Wafer di zaffiro da 4 pollici.,4 pollici di saffiro. |
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Descrizione di prodotto
4 pollici di zaffiro La pietra preziosa che alimenta l' ultima piastra di zaffiro
Oggetti di legno:
Sbloccate il potenziale dei vostri semiconduttori e delle vostre applicazioni ottiche con le nostre Wafer di Zaffiro, realizzate con il più puro cristallo di zaffiro, le nostre wafer offrono una chiarezza ottica senza pari.resistenza meccanicaIdeali per applicazioni impegnative nel settore dei semiconduttori, dell'optoelettronica e del laser ad alta potenza, garantiscono prestazioni e affidabilità superiori.
I nostri Wafer Zaffiro sono progettati con precisione per soddisfare i più alti standard di qualità e consistenza.La loro eccezionale durezza e resistenza agli graffi e all'usura le rendono ideali per ambienti difficili e applicazioni impegnativeInoltre, la loro elevata conduttività termica garantisce un'efficiente dissipazione del calore, prevenendo il surriscaldamento e prolungando la vita dei vostri dispositivi.
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Proprietà ottiche
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Trasmissione |
0.17 a 5.5 um |
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Indice di rifrazione |
1.75449 (o) 1.74663 (e) a 1.06 um |
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Perdita del riflesso |
a 1,06 micron (2 superfici) per i raggi O - 11,7%; per i raggi E - 14,2% |
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Indice di assorbimento |
0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 um |
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DN/dT |
13.7 x 10-6 a 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1.5 um |
Proprietà fisiche
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Densità |
30,97 g/cm3 |
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Punto di fusione |
2040 gradi C |
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Conduttività termica |
27.21 W/ ((m x K) a 300 K |
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Espansione termica |
5.6 x 10-6/K (asse C parallelo) e 5,0 (asse C perpendicolare) x 10-6/K |
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Durezza |
Knoop 2000 kg/mm2con indentatore da 2000 g |
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Capacità termica specifica |
419 J/ ((kg x K) |
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Costante dielettrica |
11.5 (asse C parallelo) 9.4 (asse C perpendicolare) a 1 MHz |
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Modulo di Young (E) |
335 GPa |
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Modulo di taglio (G) |
148.1 GPa |
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Modulo di massa (K) |
240 GPa |
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Coefficienti di elasticità |
C11= 496 C12=164 C13=115 |
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Limite apparente di elasticità |
275 MPa (40.000 psi) |
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Rapporto di pesce |
0.25 |
Controllo di accettazione
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