Fabbricazione di wafer piezoelettrici di ultima generazione per dispositivi MEMS e SAW
Dettagli:
Luogo di origine: | Cina |
Marca: | CQTGROUP |
Certificazione: | ISO:9001, ISO:14001 |
Numero di modello: | Servizi di fonderia di chip |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 1 PCS |
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Prezzo: | Negoziabile |
Imballaggi particolari: | Pacchetto del barattolo della cassetta, chiuso sotto vuoto |
Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
Termini di pagamento: | T/T |
Capacità di alimentazione: | 10000 pezzi al mese |
Informazioni dettagliate |
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Prodotto: | Servizi di fonderia di chip | Materiale: | LiNbO3, LiTaO3, Cristallo di quarzo, vetro, zaffiro, ecc. |
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Servizio: | Litografia, incisione, rivestimento, incollaggio | Litografia: | Litografia di prossimità EBL olitografia Stepper |
Attrezzature di supporto: | Macchine per la rettifica/sottilizzazione/pulizia, ecc. | Collegamento:: | Anodico, Euttico, Adesivo, Legamento del filo |
Evidenziare: | Capacità di elaborazione avanzata Wafer piezoelettrico,Wafer piezoelettrico MEMS,Dispositivi SAW Wafer piezoelettrico |
Descrizione di prodotto
Fabbricazione di wafer piezoelettriche all'avanguardia per dispositivi MEMS e SAW Capacità di elaborazione avanzata per i risultati
Siamo specializzati nella fornitura di servizi di fusione di chip completi, per i clienti che richiedono lavorazione e fabbricazione di wafer di alta qualità.,La nostra vasta gamma di wafer comprende:Niobato di litio (LiNbO)₃),Tantalato di litio (LiTaO)₃),Quarzo a cristallo singolo,Vetro di silice fuso,Vetro borosilicato (BF33),Vetro di soda-calce,Fabbricazione a partire da fibre sintetiche, eSapphire, garantendo la versatilità per diverse applicazioni.
Portfolio di materiali per wafer avanzati
La nostra esperienza si estende a materiali standard e esotici:
- Niobato di litio (LiNbO3, wafer da 4"-6")
- Tantalato di litio (LiTaO3, Z-cut/Y-cut)
- Quarzo a cristallo singolo (taglio AT/taglio SC)
- Silice fuso (equivalente Corning 7980)
- Vetro borosilicato (BF33/Schott Borofloat®)
- Silicio (orientamento 100/111, massimo 200 mm)
- Sapphire (C-piano/R-piano, 2" ′′ 8")
Tecnologie di fabbricazione di base
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Litografia.
- Litografia a fascio elettronico (EBL, risoluzione 10nm)
- Litografia stepper (i-line, 365 nm)
- Allineatore di maschera di prossimità (precisione di allineamento di 5 μm)
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E' un' incisione.
- ICP-RIE (SiO2/Si etch rate 500nm/min)
- DRIE (ratio di aspetto 30:1, processo Bosch)
- Graffiti a fascio ionico (uniformità angolare < ± 2°)
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Deposito su pellicola sottile.
- ALD (Al2O3/HfO2, uniformità < 1 nm)
- PECVD (SiNx/SiO2, a tensione controllata)
- Sputtering magnetronico (Au/Pt/Ti, 5nm ‰ 1μm)
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Collegamento a Wafer.
- Legamento anodico (vetro-Si, 400°C/1kV)
- Collegamento eutetico (Au-Si, 363°C)
- b. un'ampiezza superiore o uguale a 5 mm,
Infrastrutture di supporto ai processi
- Smaltimento di precisione (TTV < 2μm)
- Polizione CMP (Ra < 0,5 nm)
- Disegno laser (larghezza di taglio di 50 μm)
- Metrologia 3D (interferometria della luce bianca)