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4 pollici 6 pollici LNOI Wafers per la comunicazione ottica compatta e ad alte prestazioni
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | CQT |
| Certificazione: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numero di modello: | Wafer di LNOI |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 10 pz. |
|---|---|
| Prezzo: | $2000/pc |
| Imballaggi particolari: | Pacchetto del barattolo della cassetta, chiuso sotto vuoto |
| Tempi di consegna: | 1-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 50000 pc/mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Prodotto: | LiNbO3 sull'isolante | Diametro: | A 4 pollici, a 6 pollici |
|---|---|---|---|
| Strato superiore: | Niobato di litio | Spessore superiore: | 300~600nm |
| Insolazione: | Ossido termico SiO2 | Spessore di insolazione: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| strato di supporto: | Silice fuso | Applicazione: | Guide d'onda ottiche e Microwaveguides |
| Evidenziare: | Wafer LNOI da 6 pollici,Wafer per comunicazione ottica ad alte prestazioni,Wafer LNOI compatte |
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Descrizione di prodotto
4 pollici 6- Un centimetro.Wafer LNOI la scelta perfetta per comunicazioni ottiche compatte e ad alte prestazioni
- Sì.Rivoluzionare la fotonica con wafer LNOI a bassa perdita- Sì.
- Sì.Piattaforma di nuova generazione per l'isolatore a niobato di litio (LNOI)- Sì.
Sblocca prestazioni senza precedenti nella fotonica integrata con i nostri wafer LNOI all'avanguardia, progettati per perdite ottiche ultra basse e rugosità superficiale sotto nanometro.Combinazione di pellicole sottili LiNbO3 stochiometriche con strati sepolti di SiO2 ossidati termicamente, i nostri wafer consegnano > 30 volte maggiore efficienza non lineareLa produzione di cristalli CMOS è più efficiente rispetto ai cristalli a sfera convenzionali, consentendo al contempo una fabbricazione compatibile con CMOS.
Vantaggi principali
✓ Performance EO rivoluzionaria: raggiungere >100 GHz di larghezza di banda di modulazione con r33 >30 pm/V, ideale per trasmettitori coerenti 800G/1.6T.
✓ Precisione Quantum-Ready: Polarizzazione periodica personalizzata (PPLN) con errore di dominio < 5 nm per la generazione di fotoni intangulati.
✓ Progettazione resistente alla potenza: sopporta > 10 MW/cm2 di intensità ottica (certificato Telcordia GR-468).
Applicazioni
▷ Modulatori EO ultracompatti 5G/6G
▷ Circuiti fotonici topologici e calcolo ottico
▷ Convertitori di frequenza quantistica (banda C/L a banda di telecomunicazione)
▷ Fotodetettori LiDAR ad alta sensibilità
Specifiche tecniche
• Dimensione del wafer: 100/150 mm di diametro (2" a 6" personalizzabili)
• LiNbO3 Strato: X-cut/Z-cut, spessore 300±5 nm (standard)
• Ossido sepolto: 1-3 μm SiO2, tensione di rottura > 200 V/μm
• Substrato: Si ad alta resistività (> 5 kΩ·cm)
| Wafer LNOI | |||
| Struttura | LN / SiO2- Si '. | LTV / PLTV | < 1,5 μm (5️5 mm2) / 95% |
| Diametro | Φ100 ± 0,2 mm | Esclusione di bordo | 5 mm |
| Spessore | 500 ± 20 μm | Inchinati. | all'interno di 50 μm |
| Lunghezza piatta primaria | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Taglio bordo | 2 ± 0,5 mm |
| Fabbricazione di wafer | Tipo R | Ambiente | Rohs 2.0 |
| Strato LN superiore | |||
| Spessore medio | 400/600±10 nm | Uniformità | < 40 nm @ 17 punti |
| Indice di rifrazione | non > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Orientazione | Asse X ± 0,3° |
| Grado | Optico | Superficie Ra | < 0,5 nm |
| Difetti | > 1 mm Nessuna; ️1 mm Entro 300 in totale |
Delaminazione | Nessuna |
| Scratch | > 1 cm Nessuna; ️1 cm entro 3 |
Piano primario | Perpendicolare all'asse +Y ± 1° |
| Isolamento SiO2Strato | |||
| Spessore medio | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Uniformità | < ± 1% @17 punti |
| Metodo Fab. | Ossido termico | Indice di rifrazione | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| Substrato | |||
| Materiale | - Sì. | Orientazione | < 100> ± 1° |
| Orientazione primaria piatta | < 110> ± 1° | Resistenza | > 10 kΩ·cm |
| Contaminazione sul retro | Nessuna macchia visibile | - Sul retro | Graffiti |
