• C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto
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C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto

C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto

Dettagli:

Luogo di origine: La CINA
Marca: BonTek
Certificazione: ISO:9001
Numero di modello: Zaffiro (Al2O3)

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 5 pezzi
Prezzo: Negoziabile
Imballaggi particolari: Cassetta, barattolo, pacchetto del film
Tempi di consegna: 1-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Sapphire Wafer Tipo: Monocristallo
Colore: Bianco/rosso/blu Metodo di crescita: Cristallizzazione orizzontalmente diretta (HDC)
Superficie: Doppio lato polacco Gamma di FORZA: 85%
Applicazione: Wafer di Semicondutor, chip principale, finestra di vetro ottica, ceramica elettronica Industria: Vetro principale e ottico, wafer eli-pronto
Evidenziare:

wafer di cristallo 4inch dello zaffiro

,

Wafer di monocristallo di HDC

,

wafer di cristallo 0.5mm dello zaffiro

Descrizione di prodotto

C-asse orizzontalmente diretto di Sapphire Wafer sviluppato cristallizzazione 4inch 0.5mm Epi-pronto

Lo zaffiro Al2O3 di monocristallo possiede una combinazione unica di proprietà ottiche, fisiche e chimiche eccellenti. Il più duro dei cristalli dell'ossido, lo zaffiro Al2O3 conserva il suo ad alta resistenza alle temperature elevate, ha le buone proprietà termiche e trasparenza eccellente. L'ottica di Sapphire Al 2O3 è chimicamente resistente a molti acidi ed alcali alle temperature fino a 1000 gradi di C come pure all'HF inferiore a 300 gradi di C. Queste proprietà incoraggiano il suo ampio uso dell'ottica di Sapphire Al 2O3 negli ambienti ostili in cui la trasmissione ottica nella gamma dal visibile al vicino infrarosso è richiesta.

Ora la maggior parte degli a cristallo sta sviluppando dalla colata liquida. Le sostanze più adatte da svilupparsi di cristallo da una colata devono fondersi senza decomposizione, non hanno transizioni polimorfiche e sono caratterizzate da attività chimica bassa. Il processo di cristallizzazione da una colata si applica nei metodi più diffusi di crescita monocristallina dello zaffiro: cioè, il metodo orizzontalmente diretto di cristallizzazione (HDC) ed il metodo di Stepanov.

C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto 0C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto 1C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto 2

PROPRIETÀ OTTICHE

Trasmissione

0,17 - 5,5 um

Indice di rifrazione

1,75449 (o) 1,74663 (e) a 1,06 um

Perdita di riflessione

a 1,06 micron (2 superfici) per o-Ray - 11,7%; per e-Ray - 14,2%

Indice di assorbimento

0,3 x 10-3 cm-1 a 2,4 um

dN/dT

13,7 x 10-6 a 5,4 um

dn/dm = 0

1,5 um

PROPRIETÀ FISICHE

Densità

3,97 g/cm3

Punto di fusione

2040 gradi di C

Conducibilità termica

27,21 con (m. x K) a 300 K

Espansione termica

5,6 x 10 -6 /K (C-asse parallelo) & 5,0 (C-asse perpendicolare) x 10 -6 /K

Durezza

Knoop 2000 kg/mm 2 con il penetratore 2000g

Capacità termica specifica

419 J (chilogrammo x K)

Costante dielettrica

11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz

Modulo di Young (E)

335 GPa

Modulo del taglio (G)

148,1 GPa

Modulo in serie (k)

240 GPa

Coefficienti elastici

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Limite elastico

275 MPa (40.000 PSI)

Rapporto di Poisson

0,25

C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto 3

Controllo di accettazione

C-asse di 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronto 4

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